西安實驗邊臺-中科院鍺輔助絕緣體上石墨烯材料生長研究取得新進展
2017-07-12 來自: 西安天和實驗室設備有限公司 瀏覽次數:1125
西安實驗邊臺-中科院鍺輔助絕緣體上石墨烯材料生長研究取得新進展
近期，中國科學院上海微系統與信息技術研究所信息功能材料國家實驗室SOI(絕緣體上硅)材料與器件課題組在絕緣體襯底上直接制備石墨烯研究方面取得新進展，目前，該研究工作得到了多個項目支持。
制備絕緣體上石墨烯是推動石墨烯在微電子領域應用的重要基礎條件，針對這一需求，SOI材料與器件課題組的研究人員使用鍺薄膜做催化劑，通過化學氣相沉積(CVD)方法成功在二氧化硅、藍寶石、石英玻璃等絕緣襯底上制備出高質量單層石墨烯材料，并將其成功應用于除霧器等電加熱器件。相關研究成果以Germanium-assisted Direct Growth of Graphene on Arbitrary Dielectric Substrates for Heating 為題近期在Small上發表(DOI: 10.1002/smll.201700929)。
石墨烯，由于其優異的物理性質一直受到學術界的廣泛關注，為了實現在微電子領域的應用，石墨烯薄膜需要轉移或直接生長到絕緣襯底上。直接在絕緣襯底上生長石墨烯，有利于獲得晶圓級石墨烯材料，對推動石墨烯材料在集成電路等領域的應用具有重要意義。但由于絕緣襯底本身不具有催化能力，使用Cu(銅)、Ni(鎳)等金屬催化劑又難免引入金屬沾污，因此該項研究一直面臨許多挑戰。
上海微系統所信息功能材料國家實驗室的汪子文、薛忠營等人基于鍺襯底上生長高質量單層石墨烯的研究基礎，在絕緣襯底上預先沉積鍺薄膜作為催化劑，通過優化石墨烯生長溫度和生長時間，在完全蒸發掉鍺薄膜的同時實現單層石墨烯在絕緣襯底表面。在研究中他們還發現，石墨烯的形狀完全依賴于鍺薄膜的形狀，因此該方法既可以實現晶圓級石墨烯薄膜的生長，也可以通過預先設計的鍺圖形定義后續石墨烯器件所需圖形化的生長。獲得的絕緣體上石墨烯材料表現出良好的電學性能，初步展示了其在除霧、電致變色等加熱器件方面的應用。該項研究為獲得晶圓級絕緣體上石墨烯奠定了基礎，有助于推動石墨烯材料在微電子領域的應用。
該項工作得到了“萬人計劃”青年拔尖人才項目、中科院前沿科學研究項目和上海市學科帶頭人計劃的資助。
編輯點評
該項研究工作獲取進展，突破了石墨烯直接在絕緣襯底生長的難題，有利于獲得晶圓級石墨烯材料，推動石墨烯材料在微電子領域的應用。同時，該研究工作取得進展也有助于我國科研工作者在石墨烯材料研究領域取得更進一步的突破。